I.A.C.I. Ingeniería en Automatización y Control Industrial
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Electrónica Analógica I
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Docente
                   Ing. Guillermo Casas(2º Cuatrimestre)
                   Ing.Mónica González (1º Cuatrimestre)

Auxiliar Académico:

Guillermo Delmas

Objetivos
  • En el dictado de esta materia se desarrollan los aspectos fundamentales de las leyes que gobiernan la operación de los dispositivos semiconductores (diodo, transistores bipolares, transistores de efecto de campo, dispositivos conmutadores y optoelectrónicos) sus curvas caracterísitcas tensión-corriente, y los fundamentos, límites y alcance de los modelos circuitales que se usan para analizar su funcionamiento como parte de un circuito. Se avanza en el análisis de estos componentes en las aplicaciones mas importantes. En las clases prácticas se resuelven problemas de análisis orientados a ejercitar la aplicación de los conceptos desarrollados en las clases teóricas. También forma parte de la práctica la realización de experiencias de laboratorio consistentes en el armado y medición de circuitos sencillos que permitan visualizar las predicciones obtenidas con los modelos circuitales y ejercitar el uso de instrumental diverso.

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Programa     [Descargar programa (.doc)]
  1. Diodo
    Característica estática tensión - corriente del diodo ideal Apartamientos del diodo real. Dependencia de las características con la temperatura. El diodo como rectificador. Modelos linealizados por tramos. Obtención de la transferencia entrada/salida de circuitos con diodos. Polarización del diodo: recta de carga estática. El diodo en pequeña señal: recta de carga dinámica. Resistencia dinámica. Respuesta en frecuencia: capacidad parásita de la juntura, tiempos de conmutación. El diodo zener. Aplicaciones: referencia de tensión.

  2. Transistores de efecto de campo

    • El transistor de efecto de campo de juntura (JFET)). Principio de funcionamiento. Características tensión - corriente de salida. Zonas de funcionamiento. Característica de transconductancia en saturación. Principales parámetros. Polarización del JFET. El JFET en pequeña señal y frecuencias medias. Ganancia de tensión, impedancia de entrada y salida en las tres configuraciones: Fuente Común, Puerta Común, Drenador Común.

    • El transistor de efecto de campo de puerta aislada (MOSFET). Principio de funcionamiento de la estructura MOS. El transistor propiamente dicho. Transistor de canal N y de canal P. Tensión de corte VT: las cuatro combinaciones posibles. Características de salida. Zonas de funcionamiento. Características de transconductancia en la región de saturación. El MOSFET como circuito lógico inversor. El C-MOS. Modelo equivalente sencillo y tabla de verdad. MOSFET de potencia.

  3. Transistor Bipolar
    Principio de funcionamiento: el efecto transistor. Características estáticas de entrada y de salida. El modelo de Ebbers - Moll. Zonas de funcionamiento. Usos: el transistor como llave, el transistor como amplificador. Elección del punto de reposo en la zona activa. Límites de funcionamiento seguro. Estabilidad térmica. Potencia disipada y circuito térmico. Circuitos de polarización y factor de estabilidad. El transistor en pequeña señal y frecuencias medias: modelo de parámetros híbridos. Características de las configuraciones Emisor Común, Colector Común y Base Común. Aplicaciones de cada una. Impedancias de entrada y salida, ganancias de tensión y corriente. Amplificadores multietapa. El transistor en alta frecuencia: modelo pi. Frecuencias de corte ft y fB.

  4. Amplificadores acoplados en contínua
    El amplificador diferencial. El Amplificador Operacional Ideal. Configuración inversora y no inversora. Concepto de punto de suma. Aplicaciones. El Amplificador de Instrumentación. El A.O. real, apartamientos respecto del ideal.

  5. Dispositivos conmutadores
    Concepto de bi-estabilidad y resistencia dinámica negativa. El Transistor Unijuntura (UJT). Característica tensión - corriente. Ejemplos sencillos de aplicación: el oscilador de relajación, generadores de rampa. El Tiristor: características tensión - corriente. Modos de disparo deseados y no deseados. Especificaciones. Aplicaciones elementales; control de potencia. El Triac. Regiones de funcionamiento y modalidades de disparo. El Diac. Ejemplos de aplicación.

  6. Dispositivos Optoelectrónicos
    Definición de las unidades fotométricas. Fotogeneración y fotoemisión Concepto de eficiencia cuántica. Diodo emisor de luz (LED). Fotodiodo y fototransistor. Optoacopladores. Celdas Solares. Característica tensión corriente Rendimiento. Punto óptimo de operación.

  7. Realimentación negativa
    Concepto. Aplicación en amplificadores. Aplicación en fuentes reguladas. Ejemplos.

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Programa
  • Para la promoción deberán aprobarse dos evaluaciones correspondientes a los dos módulos en que se divide el curso. Ambas evaluaciones son teórico-prácticas, y cada una tiene una frecha de recuperación.

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Bibliografía
  • Dispositivos y Circuitos Electronicos. Millman y Halkias.

  • Electrónica Integrada. Millman y Halkias.

  • Microelectrónica. Millman.

  • Tiristores y Triacs. Lilen.

  • S.E.E.C. Tomos 2 y 3.

  • El Diodo Bipolar de Unión. Neudeck.

  • El Transistor Bipolar de Unión. Neudeck.

  • Dispositivos de Efecto de Campo. Pierret.

  • Electrónica de los Dispositivos para Circuitos Integrados. Müller y Kamins.

  • SCR MANUAL. General Electric.

Conocimientos previos
  • Física III (Física de semiconductores e introducción a la juntura PN).

  • Análisis matemático elemental.

  • Teoría de Circuitos.

Créditos y horas
  • 12 créditos, 6 horas semanales.
    El dictado de la materia abarca un cuatrimestre (aproximadamente 18 semanas de clases), con una carga horaria semanal de 6 hs. Las clases se dividen en teóricas y prácticas, con tres horas semanales para cada actividad.

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Actualizada: 03/06/2003 14:07:14
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